mosfet设计经理.

岗位职责

1. 负责领导 Trench MOSFET、SGT 及超结（Super-Junction）结构的研发，熟练运用 $2D/3D$ TCAD 工具进行设计 。

2. 分析并优化 Rds(on)、击穿电压（BV）及开关性能（$Qg/Qgd$）等核心参数 。

3. 与外部晶圆代工厂协作定义工艺流程与设计规则，并将测试芯片数据转化为工艺改进方案 。

4. 支持可靠性测试（HTRB、ESD 等）并主导失效分析，确保产品达到零缺陷质量标准 。

5. 开发并验证紧凑型 SPICE/BSIM 模型，实现无缝的电路级集成 。

岗位要求

1. 电气工程、物理或相关专业本科及以上学历，硕士/博士优先 。

2. 具有 8 年以上功率半导体器件设计与开发的直接经验 

3. 精通功率 MOSFET 器件物理、击穿机制及可靠性物理，熟悉 Python 或 Perl 自动化仿真 。

4. 熟练掌握 TCAD 仿真套件（Sentaurus 或 Atlas）及统计数据分析（DOE） 。

5. 具备工艺集成管理经验，能够将仿真结果与实际硅片测量数据准确关联 。

岗位亮点

1. 职场长青：本项目欢迎经验丰富的专业人士，甚至已退休的资深专家加入 。

2. 核心影响力：担任经理级别职位，主导功率器件从架构设计到量产落地的全流程 。

3. 先进平台：依托德昌电机在宝安区的研发基地，与全球顶级代工厂深度合作 。